有损耗无频散介质下的集成电路全波电磁仿真方法及系统
基本信息
申请号 | CN202111166768.2 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113887160B | 公开(公告)日 | 2022-03-11 |
申请公布号 | CN113887160B | 申请公布日 | 2022-03-11 |
分类号 | G06F30/3308(2020.01)I;G06F30/23(2020.01)I | 分类 | 计算;推算;计数; |
发明人 | 王芬 | 申请(专利权)人 | 北京智芯仿真科技有限公司 |
代理机构 | 北京星通盈泰知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李筱 |
地址 | 100085北京市海淀区信息路甲28号B座(二层)02B室-350号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本申请公开了有损耗无频散介质下的集成电路全波电磁仿真方法及系统,首先将形成多层集成电路的材料分为非导电媒质和导电媒质,基于剖分的平行平板场域的网格节点按所在的介质区域进行编号,然后建立有损耗无频散介质下的矩阵方程,然后基于网格节点的编号结果对有限元未知量进行划分,然后基于矩阵方程通过迭代方法计算集成电路的基准频点及其场解,并对场解进行分块,之后对于低于基准频点的待求频点,对基准频点的场解进行拆分并依据拆分结果获得低于基准频点的待求频点的场解,最后基于所有待求频点的场解获得全频段的电磁响应。该方法能够计算出全波分析的基准频点,并基于基准频点实现对低频频点场解的求解。 |
