一种用于评价硅基背封膜致密性的装置和方法

基本信息

申请号 CN201711370681.0 申请日 -
公开(公告)号 CN109932337B 公开(公告)日 2021-08-03
申请公布号 CN109932337B 申请公布日 2021-08-03
分类号 G01N21/41(2006.01)I;G01N27/00(2006.01)I 分类 测量;测试;
发明人 徐继平;鲁进军;宁永铎;刘斌;曲翔;刘浩懿;史训达;张亮 申请(专利权)人 有研半导体硅材料股份公司
代理机构 北京北新智诚知识产权代理有限公司 代理人 刘秀青
地址 101300北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种用于评价硅基背封膜致密性的装置和方法。该装置包括:24V电源、漏点检测槽、检测电解质、检测电极和矩形连接电极;其中,24V电源的正极和负极分别通过导线与检测电极和矩形连接电极相连接;检测电极和矩形连接电极置于漏点检测槽中,硅基背封膜待测样品的正面与矩形连接电极相连;检测电极位于硅基背封膜待测样品上方。方法包括:(1)测试待测样品背封膜的折射率;(2)将样品正面薄膜去除,与矩形电极相连;(3)将连接好电极的样品平放于电解质中;(4)打开电源,用检测电极检漏;(5)测试整个面的漏点数;(6)测试漏电和良率。本发明不受制备工艺限制,应用广泛,填补了硅基二氧化硅背封膜致密性检测的空白。