一种12英寸硅抛光片加工的工艺方法
基本信息
| 申请号 | CN201911280084.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112967922A | 公开（公告）日 | 2021-06-15 |
| 申请公布号 | CN112967922A | 申请公布日 | 2021-06-15 |
| 分类号 | H01L21/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈海滨;闫志瑞;库黎明;朱秦发;苏冰 | 申请（专利权）人 | 有研半导体硅材料股份公司 |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘秀青 |
| 地址 | 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种12英寸硅抛光片加工的工艺方法。该工艺方法包括以下步骤：（1）将双面抛光好的12英寸硅片进行NOTCH抛光并进行边缘抛光，然后放入片盒里，片盒放入盛有纯水的常温水槽里；（2）将装有硅片的片盒放入1号液清洗，然后放入2号液清洗；1号液的成分组成为：氨水∶双氧水∶纯水＝1∶1∶5～1∶5∶10（体积比），2号液的成分组成为：盐酸∶双氧水∶纯水＝1∶1∶5～1∶5∶10（体积比）；（3）将清洗完的装有硅片的片盒放入温水的水槽里，然后缓慢往上提拉达到干燥的目的。采用本发明的工艺方法可以制造表面颗粒和金属含量低的12英寸硅片，有利于该12英寸硅片精抛后表面颗粒和金属的降低。 |
