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一种硅电极加工的工艺方法

基本信息

申请号	CN201911254218.9	申请日	-
公开（公告）号	CN112928006A	公开（公告）日	2021-06-08
申请公布号	CN112928006A	申请公布日	2021-06-08
分类号	H01J37/317;H01J37/04	分类	基本电气元件;
发明人	陈海滨;闫志瑞;库黎明;朱秦发;苏冰	申请（专利权）人	有研半导体硅材料股份公司
代理机构	北京北新智诚知识产权代理有限公司	代理人	刘秀青
地址	101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种硅电极加工的工艺方法。该工艺方法包括以下步骤：（1）将从加工中心加工好的硅电极进行超声清洗、烘干，然后将硅电极放在双面抛光机的游轮片上进行第一次抛光；（2）将抛光完的硅电极进行超声清洗、烘干，然后用夹具装硅电极放入盛有混酸的腐蚀槽进行腐蚀，混酸的配比为：氢氟酸45％‑65％∶硝酸45％‑65％∶冰醋酸98％＝50％‑70％∶10％‑30％∶10％‑20％；（3）将腐蚀完的硅电极超声清洗、烘干，然后将硅电极放在双面抛光机的游轮片上进行第二次抛光；（4）将抛光完的硅电极进行超声清洗、HF酸洗、烘干。采用本发明的工艺方法可以制造导气孔直径一致性很高的硅电极，该硅电极的离子注入精度很好。