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一种区熔硅单晶的收尾方法

基本信息

申请号 CN201911262992.4 申请日 -
公开（公告）号 CN112941615A 公开（公告）日 2021-06-11
申请公布号 CN112941615A 申请公布日 2021-06-11
分类号 C30B13/28;C30B29/06 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 尚锐刚;王永涛;白杜鹃;刘建涛;崔彬;闫志瑞;高源;李明飞;聂飞 申请（专利权）人 有研半导体硅材料股份公司
代理机构 北京北新智诚知识产权代理有限公司 代理人 刘秀青
地址 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种区熔硅单晶的收尾方法，包括以下步骤：（1）当多晶尾料剩余10kg时，继续保持等径生长，直至多晶尾料剩余2kg时，均匀降低多晶尾料速度直至多晶尾料速度归零后快速提断，晶体拉速和加热功率保持不变，此过程单晶直径将缓慢减小；（2）当多晶尾料提断后，保持多晶尾料向提拉的方向移动，开启自动程序控制加热功率曲线和晶体拉速曲线，功率曲线先均匀快速地下降至初始功率值的75％‑85％，再缓慢均匀增加，最高不超过初始功率值；晶体拉速匀速降低至0，直至单晶熔体完全结晶后停炉冷却即可。本发明的方法可将单晶尾部损失降低至8kg以下。通过此方法收尾成功率大幅提升，可达90％以上，综合收率提高10％以上。