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一种改善硅抛光片表面粗糙度的抛光方法

基本信息

申请号 CN201911280083.3 申请日 -
公开（公告）号 CN112975578A 公开（公告）日 2021-06-18
申请公布号 CN112975578A 申请公布日 2021-06-18
分类号 B24B1/00;H01L21/306 分类 磨削；抛光;
发明人 路一辰;李俊峰;潘紫龙;王玥;王新 申请（专利权）人 有研半导体硅材料股份公司
代理机构 北京北新智诚知识产权代理有限公司 代理人 刘秀青
地址 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种改善硅抛光片表面粗糙度的抛光方法，该抛光方法包括以下步骤：（1）对硅片背面进行喷蜡处理，将硅片贴在陶瓷板上；（2）将贴在陶瓷板上的硅片先进行粗抛光；（3）将完成粗抛光的硅片进行1、2号中抛光；（4）将完成中抛光的硅片进行精抛光处理，该精抛光处理包括四个阶段；（5）对完成抛光的硅片进行取片处理，将硅片存放在含有0.5％‑1％活性剂的水槽中，水槽温度控制在16‑18℃。本发明通过改善中抛和精抛抛光工艺和抛光后硅片存放处理，有效的改善了硅片表面粗糙度，提高后工序外延加工和器件加工的成品率。