单晶颗粒碳化钨的制配方法
基本信息
| 申请号 | CN200810030401.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101298696A | 公开（公告）日 | 2008-11-05 |
| 申请公布号 | CN101298696A | 申请公布日 | 2008-11-05 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01);C30B1/10(2006.01) | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 郭伟;钟晖;刘昭晖 | 申请（专利权）人 | 湖南鑫联新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 410125湖南省长沙市芙蓉区雄天大道1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种单晶颗粒碳化钨的制配方法：目前市场上现有的碳化钨致密化程度差，热稳定性差，组织结构不均匀，晶粒不够粗大等缺陷，本发明针对上述存在的问题，通过采用原料钨粉加炭黑，再加添加剂的方法，科学利用化学放热反应的原理，利用高温碳化钨，铸造碳化钨生产工艺，研制成一种纯度高，碳化均匀，致密化程度好的单晶颗粒碳化钨，它填补了一项国内空白，产品质量已达到国际先进水平，改变了我国原来主要靠出口原材料和低端产品的状况。 |
