一种铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010128507.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111218626A | 公开（公告）日 | 2020-06-02 |
| 申请公布号 | CN111218626A | 申请公布日 | 2020-06-02 |
| 分类号 | C22C47/14(2006.01)I | 分类 | 冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理; |
| 发明人 | 田鹏 | 申请（专利权）人 | 江苏时代华宜电子科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 214205江苏省无锡市宜兴市环科园岳东路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料，以重量计，包括以下原料：铝20～40份、镁6～10份、碳化硅微粉15～19份、碳纤维增强体10～20份、钛10～14份、铌2～6份、铂3～7份、铁10～20份、铜10～14份；本发明的有益效果是在原料中加入了钛、铌、铂和碳纤维增强体，从而使铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料的结构强度更高，防止铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料在使用时发生损坏。 |
