一种衰减型高均匀的相移光掩膜坯料及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011400325.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112666789A | 公开（公告）日 | 2021-04-16 |
| 申请公布号 | CN112666789A | 申请公布日 | 2021-04-16 |
| 分类号 | G03F1/32;G03F1/46;G03F1/44;C23C14/35;C23C14/10;C23C14/06 | 分类 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕; |
| 发明人 | 徐根;李翼;李伟;周志刚;杨旭 | 申请（专利权）人 | 湖南普照信息材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨威 |
| 地址 | 410205 湖南省长沙市岳麓区麓枫路40号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种衰减型高均匀的相移光掩膜坯料，包括：玻璃基片；复合在所述玻璃基片上的相移层；复合在所述相移层上的铬氮化物遮光膜层；复合在所述铬氮化物遮光膜层上的铬氮氧化物减反射膜层；所述相移层为硅氧化物薄膜。与现有技术相比，本发明提供的衰减型高均匀的相移光掩膜坯料采用特定膜结构，实现较好的整体相互作用，从而使该相移光掩膜坯料兼具高均匀性和良好的显示效果，并且具有强的耐氢氟酸性，应用范围广。 |
