太阳能级多晶硅片的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610645274.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106048720B | 公开（公告）日 | 2018-10-12 |
| 申请公布号 | CN106048720B | 申请公布日 | 2018-10-12 |
| 分类号 | C30B29/06;C30B28/06;B28D5/00;H01L31/18 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 王勇 | 申请（专利权）人 | 浙江恒都光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 嘉兴海创专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 郑文涛 |
| 地址 | 314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花工业园区袁溪路118号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了太阳能级多晶硅片的制备方法，在铸锭炉两侧加热器下方设置隔热条；将硅原料装入石英坩埚内，把石英坩埚送进铸锭炉；调节加热器温度为1400‑1460℃，调节隔热底板的开度在4‑8cm，制得多晶硅；对多晶硅采用双向切割工艺、砂浆回流处理、过滤分离后制得回流多晶硅，将回流多晶硅与去离子水混合后形成混合溶液，经雾化、喷涂到坩埚的内壁上，干燥后即为太阳能级多晶硅片。本发明降低产品孪晶的界面能，提供转化效率的稳定性，使整锭硅片的平均电池效率达到17.7％以上，减少环境污染，又可降低生产成本，提高硅锭的成晶率。 |
