冶金级高效多晶硅片的制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

冶金级高效多晶硅片的制备方法

基本信息

申请号	CN201610645967.4	申请日	-
公开（公告）号	CN106283185B	公开（公告）日	2018-10-12
申请公布号	CN106283185B	申请公布日	2018-10-12
分类号	C30B29/06;C30B28/06;C01B32/956;C01B33/18	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	王勇	申请（专利权）人	浙江恒都光电科技有限公司
代理机构	嘉兴海创专利代理事务所（普通合伙）	代理人	郑文涛
地址	314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花工业园区袁溪路118号
法律状态	-

摘要

本发明公开了冶金级高效多晶硅片的制备方法，将冶金硅、添加剂和硼的固化剂混合后置入炉膛中，抽真空，充入氩气，炉膛升温，使冶金硅熔化为硅熔体，保持硅熔体温度在900‑1000℃，恒温熔炼3.5‑4.5h；炉膛内抽真空，硅熔体温度保持在900‑1000℃，并在氩等离子体流量为280‑320ml/min，真空熔炼0.3‑0.8h；炉膛抽真空，同时调整硅熔体温度到1400‑1500℃，保温并静置、降温至室温得到硅锭；再经过切割、表面清洗，即得冶金级高效多晶硅片。本发明通过高效冶金硅片转换效率提升技术，通过高还原性添加剂和硼的固化剂，并延长固化时间，保证产品能达到99.999％，提高少子寿命，降低生产成本。