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高纯度多晶硅片的制备方法

基本信息

申请号	CN201610652406.7	申请日	-
公开（公告）号	CN106350865A	公开（公告）日	2017-01-25
申请公布号	CN106350865A	申请公布日	2017-01-25
分类号	C30B28/04;C30B29/06;C30B33/00	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	王勇	申请（专利权）人	浙江恒都光电科技有限公司
代理机构	嘉兴海创专利代理事务所（普通合伙）	代理人	郑文涛
地址	314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花工业园区袁溪路118号
法律状态	-

摘要

本发明公开了高纯度多晶硅片的制备方法，将硅料置入高温熔炉中，在无尘环境下加热至1300‑1380℃，保持高温熔炉炉底的硅料不熔化，制得多晶硅；将多晶硅进行切割，对切割后的多晶硅利用清洗剂进行表面清洗处理，其中，清洗剂按照重量份的原料包括：表面活性剂40‑50份、螯合剂22‑30份；向清洗后的多晶硅中加入添加剂和硼的固化剂，并在700‑800℃的温度下处理10min，清理后制得高纯度多晶硅片。本发明能有效地去除现有工艺难以去除的、影响太阳能电池材料中少子寿命和转化效率衰减的硼等关键性杂质元素，使提纯后的多晶硅片的B浓度低于1ppm，提高多晶硅片的转化效率，使产品达到高纯多晶硅片99.9999％，保证产品合格率，同时降低生产成本。