半导体器件及其制作方法和芯片
基本信息
| 申请号 | CN202110479821.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113257734A | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN113257734A | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | H01L21/762（2006.01）I;H01L21/324（2006.01）I;H01L27/092（2006.01）I;H01L21/8238（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李星毅;谷玲玲;鲁艳春 | 申请（专利权）人 | 北海惠科半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市百瑞专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 邢涛 |
| 地址 | 536000广西壮族自治区北海市工业园区北海大道东延线336号广西惠科科技有限公司16幢三楼301室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制作方法和芯片，半导体器件的制作方法包括步骤：在硅衬底上依次形成氧化硅层和氮化硅层；蚀刻氧化硅层、氮化硅层和硅衬底形成多个浅沟槽；在所述浅沟槽内形成厚度为200‑300埃米的隔离氧化层；对所述浅沟槽进行退火温度为900‑960摄氏度的退火处理；在所述浅沟槽内填充隔离绝缘层，使所述隔离绝缘层的顶部高于所述氧化硅层，且所述隔离绝缘层将所述氧化硅层划分为多个第一有源区和第二有源区；蚀刻掉所述氮化硅层；对所述第一有源区和第二有源区分别进行离子注入，并在所述第一有源区和第二有源区中形成对应的P型MOS管和N型MOS管。这样能够防止机台中的重金属离子扩散到有源区和浅沟槽的交界处，从而避免了空洞的产生。 |
