扩散设备和扩散系统
基本信息
| 申请号 | CN202110601929.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113373522A | 公开（公告）日 | 2021-09-10 |
| 申请公布号 | CN113373522A | 申请公布日 | 2021-09-10 |
| 分类号 | C30B31/06（2006.01）I;C30B31/16（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L21/22（2006.01）I;H01L21/223（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 蒋新和;王国峰;任宏志 | 申请（专利权）人 | 北海惠科半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市百瑞专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 邢涛 |
| 地址 | 536000广西壮族自治区北海市工业园区北海大道东延线336号广西惠科科技有限公司16幢三楼301室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请实施例公开了一种扩散设备和扩散系统，用于对晶圆进行氧化沉积制程，其特征在于，包括：炉体、进气口、出气口和晶舟以及导流管，炉体内部中空结构；进气口设置在所述炉体上，用于进气；进气口和出气口分别位于炉体底部的两侧；晶舟设置在炉体内，用于承载晶圆；导流管设置在炉体内，导流管的一端与进气口连接，另一端延伸至炉体的上部，导流管设置有第一开口，第一开口设置在导流管上，靠近炉体的上部；其中，扩散设备还设置有第二开口，对应晶舟的下部设置，将反应气体导入到晶舟的下部。以使整个炉体都能迅速接触到气体参与反应，改善晶圆氧化沉积的均匀性。 |
