一种快恢复芯片的制造方法、制造设备和快恢复芯片
基本信息
| 申请号 | CN202110351049.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113223944A | 公开（公告）日 | 2021-08-06 |
| 申请公布号 | CN113223944A | 申请公布日 | 2021-08-06 |
| 分类号 | H01L21/265（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I;H01L29/861（2006.01）I;H01J37/317（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王超;任宏志 | 申请（专利权）人 | 北海惠科半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市百瑞专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 邢涛 |
| 地址 | 266200山东省青岛市即墨区北安街道办事处太吉路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种快恢复芯片的制造方法、制造设备和快恢复芯片，所述制造方法包括步骤：使用磷源对硅片进行磷扩散，以在所述硅片的至少一面形成磷扩散结构层；去除所述硅片的其中一面的所述磷扩散结构层；使用硼源对所述硅片进行硼扩散，以在所述硅片去除所述磷扩散结构层的一面形成硼扩散结构层；通过所述硼扩散结构层的表面进行铂离子注入，以实现铂扩散；在一预设的温度范围内进行铂深扩散；采用经过所述铂深扩散后的硅片制备得到快恢复芯片；通过离子注入的方式进行铂扩散，即注入铂离子至硼扩散结构层，进行铂扩散，使得铂扩散更加均匀，防止铂分布不均匀破坏硅片的原来结构，同时提高快恢复芯片的恢复特性。 |
