一种肖特基二极管及其制作方法和芯片
基本信息
| 申请号 | CN202110479822.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113257893A | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN113257893A | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张汝康;鲁艳春 | 申请（专利权）人 | 北海惠科半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市百瑞专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 邢涛 |
| 地址 | 536000广西壮族自治区北海市工业园区北海大道东延线336号广西惠科科技有限公司16幢三楼301室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种肖特基二极管及其制作方法和芯片，肖特基二极管包括衬底、势垒层、二氧化硅层、阻挡层、缓冲层和电极层，所述势垒层设置在所述衬底的表面，由金属硅化物材料构成；所述二氧化硅层设置在所述衬底上，位于所述势垒层的两侧；所述阻挡层设置在所述二氧化硅层和势垒层上，由TaN材料构成；所述缓冲层设置在所述阻挡层上，由Ta材料构成；所述电极层设置在所述缓冲层上。通过在势垒层和电极之间设置由TaN材料构成的阻挡层和由Ta材料构成缓冲层，使得在高温条件下，不易形成势垒层和电极层之间的扩散通道，防止势垒层和电极层之间的粒子扩散，避免影响势垒高度并导致电极电阻升高的问题。 |
