铜集流体及其制备方法、负电极以及二次电池

基本信息

申请号 CN201910873340.8 申请日 -
公开(公告)号 CN110635139A 公开(公告)日 2019-12-31
申请公布号 CN110635139A 申请公布日 2019-12-31
分类号 H01M4/66;H01M10/052 分类 基本电气元件;
发明人 羿井司;陆子恒;陈佳华;杨铮;刘国华;李诚;刘宇;钟国华;杨春雷;赵斌 申请(专利权)人 惠州市烯谷新能源产业技术研究院有限公司
代理机构 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 代理人 惠州市烯谷新能源产业技术研究院有限公司;深圳先进技术研究院
地址 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种铜集流体,其包括铜片本体以及通过溅射硅和碳在所述铜片本体表面上形成的保护膜层;其制备方法包括:将铜片本体置于含有硅靶和碳靶的共溅射设备中,应用共溅射工艺在所述铜片本体表面上共溅硅和碳形成保护膜层。本发明还公开了包括以上所述铜集流体的负电极以及相应的二次电池。本发明提供的铜集流体应用于负电极以及相应的二次电池中,可以使得二次电池具有更高、更稳定的库伦效率和更长的循环寿命。