一种有效释放砷化镓单晶结晶潜热的方法及装置
基本信息
申请号 | CN201910859372.2 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN110438562B | 公开(公告)日 | 2021-08-24 |
申请公布号 | CN110438562B | 申请公布日 | 2021-08-24 |
分类号 | C30B15/20;C30B29/42 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
发明人 | 易明辉;韩家贤 | 申请(专利权)人 | 广东先导先进材料股份有限公司 |
代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 颜希文 |
地址 | 511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号B区 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种有效释放砷化镓单晶结晶潜热的方法及装置。所述装置包括石英安瓿瓶、支撑底座和支撑平台;所述石英安瓿瓶置于支撑底座上端,支撑底座放置在支撑平台上,并与支撑平台固定连接;所述支撑底座内设有炉芯,炉芯设有散热棒,且散热棒插入炉芯内,并与支撑平台可拆卸连接,装炉时散热棒的上端与石英安瓿瓶的下端瓶口保持距离,散热棒向上运动时与石英安瓿瓶的下端瓶口接触。在等径生长阶段,等径生长至50mm时,利用散热棒向上与石英安瓿瓶的下端瓶口接触,利用散热棒通过热辐射和热传导的方式将结晶潜热多余的热量缓慢放出,晶体生长完成后,无需再进行原位退火来减小晶体的热应力。 |
