半导体器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201910348146.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110071172B | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN110071172B | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/20（2006.01）I;H01L21/8252（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 范谦;倪贤锋;何伟 | 申请（专利权）人 | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区11幢303室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括N个半导体结构，所述半导体结构包括底、位于所述衬底上的缓冲层、位于所述缓冲层上的势垒层以及位于所述势垒层上的源极和漏极；在第一半导体结构上的源极和漏极之间的栅极区域上形成第一栅极；对除第一半导体结构以外的其他半导体结构的栅极区域的势垒层进行刻蚀，在每个所述半导体结构的势垒层中形成凹槽，并在所述每个凹槽中形成栅极，所述每个凹槽的深度不相等，且小于所述势垒层的厚度，其中，所述N为大于2的正整数。本申请所提出的半导体器件及其制造方法，通过在器件中形成不同厚度的势垒层从而提高其线性度。 |
