垂直腔面发射激光器的制造方法及垂直腔面发射激光器
基本信息
| 申请号 | CN202010499463.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111600200B | 公开（公告）日 | 2021-05-07 |
| 申请公布号 | CN111600200B | 申请公布日 | 2021-05-07 |
| 分类号 | H01S5/183(2006.01)I;H01S5/30(2006.01)I;H01S5/187(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 范谦;倪贤锋;华斌;崔莹 | 申请（专利权）人 | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区11幢303室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种垂直腔面发射激光器的制造方法和垂直腔面发射激光器，所述垂直腔面发射激光器的制造方法包括：分别提供形成有介质膜DBR和第一键合层的第一衬底以及形成有阻挡层、重掺杂层、有源层、电流限制层、砷化物DBR的第二衬底；将第三衬底胶粘在砷化物DBR上；去除第二衬底和阻挡层；将重掺杂层和介质膜DBR键合；去除第三衬底；形成P型电极接触结构；形成N型电极接触结构。在第一衬底上直接生长介质膜DBR，在第二衬底上形成砷化物DBR，并采用键合工艺得到最终的VCSEL，这样不仅提高了VCSEL的工作波长范围，也降低了外延工艺的难度，同时也降低了器件对外延均匀性的要求，提高了晶圆制程的良率。 |
