半导体器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110887343.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113410285A | 公开（公告）日 | 2021-09-17 |
| 申请公布号 | CN113410285A | 申请公布日 | 2021-09-17 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/20（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 倪贤锋;范谦;崔莹 | 申请（专利权）人 | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215000江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区长阳街259号钟园工业坊B0-1F西侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件，包括：依次堆叠的衬底、缓冲层、沟道层、第一势垒层、刻蚀阻挡层和第二势垒层以及栅极、源极和漏极，其中，所述第二势垒层具有n型掺杂且所述第二势垒层中形成有凹槽，所述栅极位于所述凹槽的底壁上，所述源极和所述漏极位于所述第二势垒层上。本发明还提供一种半导体器件的制备方法。本发明设置堆叠的第一势垒层和n型掺杂的第二势垒层，并且将所述栅极设置在所述凹槽中，将源极和漏极设置在所述第二势垒层上，可以在降低栅极漏电流的同时，降低源极和漏极的接触电阻以及大幅降低半导体器件的RF色散。 |
