集成增强型与耗尽型场效应管的结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201811631597.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109727918B | 公开（公告）日 | 2020-05-19 |
| 申请公布号 | CN109727918B | 申请公布日 | 2020-05-19 |
| 分类号 | H01L21/8234;H01L21/8236;H01L27/088 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 范谦;倪贤锋;何伟 | 申请（专利权）人 | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区11幢303室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及集成增强型与耗尽型场效应管结构的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成缓冲层和势垒层；在所述势垒层上形成光刻胶层，并在所述第一欧姆接触区与第二欧姆接触区之间的光刻胶层上形成垂直于栅极的多个凹槽；去除无光刻胶区域所对应位置的势垒层，形成鳍；在第一欧姆接触区形成第一电极，在第二欧姆接触区行形成第二电极，在第三欧姆接触区上形成第三电极；在所述第一电极和第二电极之间的势垒层上形成第一栅极，在所述第二电极和第三电极上的势垒层上形成第二栅极。在本发明将增强型晶体管和耗尽型晶体管集成在一个场效应管中，为实现单片集成高速数字/模拟混合信号射频电路奠定了基础。 |
