金刚石基氮化镓器件制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201810667077.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108598036B | 公开（公告）日 | 2020-03-27 |
| 申请公布号 | CN108598036B | 申请公布日 | 2020-03-27 |
| 分类号 | H01L21/683;H01L21/335;H01L29/778 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 倪贤锋;范谦;何伟 | 申请（专利权）人 | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区11幢303室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种金刚石基氮化镓器件制造方法，包括：在衬底上生长氮化镓缓冲层；在所述氮化镓缓冲层上粘合临时载片；去除所述衬底，并倒置形成的临时载片‑氮化镓缓冲层结构；在倒置后的氮化镓缓冲层上形成介质层；在所述介质层上按预设图案选择性的生长金刚石形核层；所述金刚石形核层生长形成图案化的金刚石层；去除所述临时载片，并将形成的氮化镓缓冲层‑介质层‑金刚石层结构倒置。综上所示，本申请所提供的金刚石基的氮化镓器件制造方法，通过形成图案化的金刚石层，大幅降低金刚石与氮化镓之间的应力，从而降低大晶圆尺寸金刚石基氮化镓器件的制造难度，有利于大晶圆尺寸金刚石基氮化镓器件的产业化。 |
