HEMT结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201910603666.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110335894B | 公开（公告）日 | 2020-05-12 |
| 申请公布号 | CN110335894B | 申请公布日 | 2020-05-12 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 倪贤锋;范谦;孙培浩;何伟 | 申请（专利权）人 | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区11幢303室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种HEMT结构，包括：衬底；位于所述衬底上的带有铁掺杂的缓冲层；位于所述缓冲层上的掺杂控制层；位于所述掺杂控制层上的非故意掺杂层；以及依次位于所述非故意掺杂层上的沟道层和势垒层。本申请所提出的HEMT结构及其制造方法，通过引入掺杂控制层，增加掺杂元素的衰减速率，减小掺杂层的厚度，改善缓冲层的绝缘效果。 |
