倒装深紫外LED及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110841199.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113555479A | 公开（公告）日 | 2021-10-26 |
| 申请公布号 | CN113555479A | 申请公布日 | 2021-10-26 |
| 分类号 | H01L33/22（2010.01）I;H01L33/44（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 范谦;倪贤锋;曹荣兵;崔莹 | 申请（专利权）人 | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215000江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区长阳街259号钟园工业坊B0-1F西侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种倒装深紫外LED，包括：衬底、n型外延层、量子阱层和p型外延层、粗化种层、粗化结构、盖片层、反射层以及p型欧姆接触和n型欧姆接触。本发明中，在所述n型外延层、所述量子阱层和所述p型外延层的侧壁上生长多晶的粗化种层，并且在所述粗化种层上继续生长表面粗糙的粗化结构，可以增加量子阱层侧面的出光角度，减少倒装深紫外LED侧面光的全反射，并且在所述反射层的作用下，通过所述粗化种层和所述粗化结构透出的光可以完全反射至所述盖片层并出光，从而提高器件整体的出光效率。 |
