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一种MEMS探针激光刻蚀电机与四维台驱动方法

基本信息

申请号 CN202011382152.4 申请日 -
公开（公告）号 CN112496556B 公开（公告）日 2022-05-17
申请公布号 CN112496556B 申请公布日 2022-05-17
分类号 B23K26/362（2014.01）I;B23K26/082（2014.01）I;B23K26/064（2014.01）I;B23K26/046（2014.01）I;B23K26/08（2014.01）I;B81C1/00（2006.01）I 分类 机床；不包含在其他类目中的金属加工;
发明人 于海超;周明 申请（专利权）人 强一半导体（苏州）股份有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 215000江苏省苏州市苏州工业园区东长路18号39幢2楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明一种MEMS探针激光刻蚀电机与四维台驱动方法属于半导体加工测试技术领域；所述MEMS探针激光刻蚀电机与四维台驱动方法由单晶硅圆片的刻蚀间距，得到电机的步进角度，四维台向上或向下移动距离，向左或向右移动距离，顺时针或逆时针转动角度；所述四维台移动方向和转动方向由电机的转动方向决定；本发明MEMS探针激光刻蚀电机与四维台驱动方法，用在本发明所公开的MEMS探针激光刻蚀装置与方法中，不仅刻蚀精度更高，而且刻蚀间距能够连续调节。