一种面向超高温工作环境下芯片测试的MEMS探针结构
基本信息
| 申请号 | CN202110051010.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112858884B | 公开（公告）日 | 2022-07-05 |
| 申请公布号 | CN112858884B | 申请公布日 | 2022-07-05 |
| 分类号 | G01R31/28（2006.01）I;G01R1/073（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 于海超 | 申请（专利权）人 | 强一半导体（苏州）股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215000江苏省苏州市苏州工业园区东长路18号39幢2楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明一种面向超高温工作环境下芯片测试的MEMS探针结构属于精密测试计量、微机电系统、IC芯片测试及探针卡技术领域；所述结构从上到下依次设置PCB板、转接板和复合探针头结构，复合探针头结构包括上导板，中间导板和下导板，探针穿过上导板和中间导板后，从下导板伸出；探针包括安装在上导板的上部探针，穿过中间导板的中部探针和安装在下导板的下部探针；上部探针和下部探针具有热胀冷缩特性；中部探针具有热缩冷胀特性；本发明作为面向超高温工作环境下芯片测试的MEMS探针结构及测试方法中的一项关键技术，有利于确保超高温工作环境下，大尺寸或多测试点芯片测试过程中，裸芯与探针之间有效接触，进而有利于对该芯片进行测试。 |
