单浸渍管硅铁浴真空环流炼镁装置及其方法
基本信息
| 申请号 | CN201010255111.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101914692A | 公开（公告）日 | 2010-12-15 |
| 申请公布号 | CN101914692A | 申请公布日 | 2010-12-15 |
| 分类号 | C22B26/22(2006.01)I | 分类 | 冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理; |
| 发明人 | 牛强;储少军 | 申请（专利权）人 | 盾安控股集团有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100864 北京市西城区三里河路52号中国科学院院士工作局 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了单浸渍管硅铁浴真空环流炼镁的装置及其方法，装置包括：感应炉(101)、真空反应室(104)、单浸渍管(102)及侧壁连通导流的氩气喷吹管(110)；连通的镁蒸气冷凝器(206)、镁液喷淋器(210)和镁液储存器(202)，镁矿粉输送和喷射装置(111)～(115)。所述工艺为含硅量30％～65％的硅铁液，温度为1350～1600℃；硅铁液与喷吹入其中的镁矿粉混合物在真空反应装置和感应炉之间环形流动，真空度350Pa～10000Pa，反应生成镁蒸气，经冷凝和镁液喷淋生成镁液入储存装置，浇注镁锭。本发明具有节能低耗、生产率高等优点。 |
