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一种硅片的抛光后清洗方法

基本信息

申请号 CN202010258268.0 申请日 -
公开（公告）号 CN113496868A 公开（公告）日 2021-10-12
申请公布号 CN113496868A 申请公布日 2021-10-12
分类号 H01L21/02（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 张俊宝;陈猛 申请（专利权）人 上海超硅半导体股份有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 400714重庆市北碚区两江新区云汉大道5号附188
法律状态 -

摘要

摘要 采用一种混合清洗剂，混合清洗剂由隔离保湿剂、PH调节剂、缓释剂、溶液C组成，混合清洗剂成分的配比范围为：隔离保湿剂5～10wt%、PH调节剂0.5～1.5wt%、溶液94.5～88.5wt%；将上述成分按照其配比范围配置均匀、稳定的混合清洗剂，对抛光后的硅片进行浸没式清洗。混合清洗剂在硅片表面形成一层保护层，防止抛光液残留的斑点发生和不纯物的干燥固着，抑制硅片表面氧化膜的形成，同时捕捉抛光过程中产生的金属离子、防止硅片受到金属污染，硅片与抛光液残留物、金属离子等所有污染颗粒都被混合清洗剂有效包裹起来，防止硅片表面污染，极大地提升抛光与清洗工序的效率、提高产品合格率。