一种集成电路用单晶硅片碱腐蚀去除量的控制方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种集成电路用单晶硅片碱腐蚀去除量的控制方法

基本信息

申请号	CN202010258257.2	申请日	-
公开（公告）号	CN113496886A	公开（公告）日	2021-10-12
申请公布号	CN113496886A	申请公布日	2021-10-12
分类号	H01L21/306（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	张俊宝;陈猛	申请（专利权）人	上海超硅半导体股份有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	400714重庆市北碚区两江新区云汉大道5号附188
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种集成电路用单晶硅片碱腐蚀去除量的控制方法，采用KOH配制碱腐蚀液；通过KOH腐蚀液浓度c，腐蚀温度T，超声波强度I和超声波频率f，来确定单晶硅片的碱腐蚀反应速率v；根据工序要求的碱腐蚀去除量D和腐蚀速度v，确定碱腐蚀所需要的理论时间te；根据理论时间te，确定实际腐蚀时间toperation，当实际腐蚀时间toperation在取值范围之内时，很好地满足工序生产时间和硅片质量的要求；当实际腐蚀时间toperation不在取值范围之内时，调整工艺参数KOH腐蚀液浓度c和腐蚀温度T，使实际腐蚀时间toperation在取值范围之内；按照实际腐蚀时间toperation，采用所配KOH腐蚀液对单晶硅片进行腐蚀，对比实际腐蚀去除量Dget和工序要求的碱腐蚀去除量D，确认腐蚀控制效果。本发明可使二者的差值控制在5%之内。