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一种集成电路用硅片边缘形貌控制方法

基本信息

申请号	CN202010258530.1	申请日	-
公开（公告）号	CN113496870A	公开（公告）日	2021-10-12
申请公布号	CN113496870A	申请公布日	2021-10-12
分类号	H01L21/02（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	张俊宝;陈猛	申请（专利权）人	上海超硅半导体股份有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	400714重庆市北碚区两江新区云汉大道5号附188
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种集成电路用硅片的边缘形貌控制方法，其特征在于，通过控制行星片的材质和不同的区域的硬度分布、行星片与集成电路用硅片接触片的边缘形貌以及研磨料的成分、粒径分布和形貌来实现对集成电路用硅片边缘形貌的控制；具体为：行星片材质为不锈钢，与集成电路用硅片边缘接触区域有一个高硬度的圆环区域FA，行星片与集成电路用硅片接触处的边缘形貌M1与集成电路用硅片Swafer的边缘形貌M相同，并通过旋转形成；同时，研磨料中球形磨粒比例为80～100%。本发明通过对行星片材质、硬度分布、污染风险、边缘形状以及磨粒的形状和粒径进行控制，消除在转动过程中硅片边缘受到行星片来回撞击以及金属污染、边缘不必要磨损而对硅片产生损伤的风险，实现对硅片边缘形貌的控制与保护。