一种集成电路硅片表面氧化膜自适应均匀腐蚀方法
基本信息
| 申请号 | CN202010258262.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113496891A | 公开（公告）日 | 2021-10-12 |
| 申请公布号 | CN113496891A | 申请公布日 | 2021-10-12 |
| 分类号 | H01L21/311（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 罗继薇;张俊宝;陈猛 | 申请（专利权）人 | 上海超硅半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 400714重庆市北碚区两江新区云汉大道5号附188号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种集成硅片（wafer）表面氧化膜均匀腐蚀去膜方法，应用于集成电路硅片分析过程中硅片表面膜层的均匀腐蚀。本发明方法包含硅片吸附夹具和表面腐蚀方法。硅片吸附夹具主要由托盘、支架、真空管路和高度调整四部分组成，托盘上面有三个真空吸盘，等分分布在以托盘中心为圆心的圆周上，通过内部管路联通真空吸附硅片，通过高度控制器使硅片处于水平状态。硅片表面膜层的均匀腐蚀方法为在硅片中心滴一滴腐蚀液，然后三个真空吸盘按照一定的频率振动，使腐蚀液滴在硅片表面匀速以螺纹渐开线形式运动，从硅片中心一直运动到硅片边缘，达到硅片表面膜层均匀去除的目的。 |
