一种外延基底用硅晶片之背面膜层及制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010258297.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113496869A | 公开（公告）日 | 2021-10-12 |
| 申请公布号 | CN113496869A | 申请公布日 | 2021-10-12 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;C23C16/24（2006.01）I;C23C16/40（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I;C23C16/458（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李小艳;张俊宝;陈猛 | 申请（专利权）人 | 上海超硅半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 400714重庆市北碚区两江新区云汉大道5号附188号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种外延基底用硅晶片之背面膜层及制造方法。所述外延基底用硅晶片之背面膜层包括：双层膜，所述双层膜包括直接覆盖在硅晶片背面上的第一层，以及第一层上覆盖的第二层；所述外延基底用硅晶片之背面膜层的制造方法包括：步骤1，将硅晶片背面朝上装炉后，采用三步低温高速化学气相沉积法生长第一层膜；步骤2，将经步骤1后硅晶片正面（抛光面）朝上装炉后，采用低压化学气相沉积法在第一层膜上生长第二层膜。本发明的优势在于：提高了双层膜的膜厚均匀性，增强了背面膜的背封效果，解决了因硅晶片背面膜膜厚不均匀、晶舟印、颗粒等问题对所造成的镜面抛光不良。 |
