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伪静态随机存储器PSRAM验证装置及其方法

基本信息

申请号 CN202110390584.8 申请日 -
公开（公告）号 CN113113074A 公开（公告）日 2021-07-13
申请公布号 CN113113074A 申请公布日 2021-07-13
分类号 G11C29/12（2006.01）I 分类 信息存储;
发明人 王储;邢俊丰;钱永学;韩青双;马荣荣;孟浩;蔡光杰;黄鑫 申请（专利权）人 广州昂瑞微电子技术有限公司
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 梁栋国
地址 510670广东省广州市黄埔区科学大道18号A栋1002房
法律状态 -

摘要

摘要 一种伪静态随机存储器PSRAM验证装置及其方法，所述装置包括：第一接口单元，用于连接先进高性能总线AHB代理单元和被测设备DUT；第二接口单元，用于连接伪静态随机存储器PSRAM代理单元和被测设备DUT；先进高性能总线AHB代理单元，用于按照AHB总线的协议产生激励并且将所产生的激励发送给被测设备DUT，以及将采集的相关第一接口数据发送到计分板单元；伪静态随机存储器PSRAM代理单元，用于模仿伪静态随机存储器PSRAM的行为，按照PSRAM协议与接口单元交互，并且将采集的相关第二接口数据发送到计分板单元；以及计分板单元，用来对接收的信号进行采样，并判断采样的信号是否与预期的配置一致。