NMOS晶体管结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201810017844.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108133955B | 公开（公告）日 | 2020-07-03 |
| 申请公布号 | CN108133955B | 申请公布日 | 2020-07-03 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/78;H01L21/336 | 分类 | - |
| 发明人 | 孟静 | 申请（专利权）人 | 南京芯长征科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京智行阳光知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 孟静;南京芯长征科技有限公司 |
| 地址 | 211100 江苏省南京市江宁区苏源大道19号九龙湖国际企业总部园A2座(江宁开发区） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种NMOS晶体管结构及其形成方法，涉及基本电子元器件技术领域。所述晶体管包括衬底、栅极结构、沟道区以及源、漏区，该半导体结构还包括球形阻断装置，以及位于衬底与沟道区界面处、衬底与源、漏区界面处的含碳材料层，其中所述球形阻断装置设置于衬底中且位于所述源、漏区和所述沟道区下方，所述球形阻断装置为空腔或填充有绝缘介质，所述含碳材料层位于沟道区下方的位置中碳、硅原子重量比为1：（0.7‑2.4），形成的半导体结构漏电流显著降低，电学性能得到明显提升，并且本发明中形成该半导体结构的方法工艺简单，成本低廉，引入杂质少，能够进一步改善半导体结构的性能。 |
