低EMI深沟槽隔离沟槽型功率半导体器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | PCT/CN2020/112957 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | WO2021057415A1 | 公开（公告）日 | 2021-04-01 |
| 申请公布号 | WO2021057415A1 | 申请公布日 | 2021-04-01 |
| 分类号 | H01L23/552 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | BAI, YUMING;白玉明;YANG, FEI;杨飞;WU, KAI;吴凯;ZHANG, GUANGYIN;张广银;ZHU, YANGJUN;朱阳军 | 申请（专利权）人 | 南京芯长征科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | SUZHOU GUOCHENG PATENT AGENCY CO., LTD;苏州国诚专利代理有限公司 |
| 地址 | Building A2, Jiulonghu International Enterprise Headquarters Park,No.19 Suyuan Road, Jiangning District (Jiangning Development Zone),Nanjing, Jiangsu 211100 CN | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种功率半导体器件及其制备方法，尤其是一种低EMI深沟槽隔离沟槽型功率半导体器件及其制备方法，属于功率半导体器件的技术领域。本发明用终端通孔隔离取代现有场限环终端结构，终端面积显著降低，降低芯片成本，提高芯片电流密度。将栅极金属和背面电极结构放置在半导体衬底的背面，源极金属位于半导体衬底的正面，封装时，将源极金属焊接在封装基板上，栅极金属和漏极金属通过打线引出。由于源极金属是处于低电位，因此，封装基板点位保持为低电位，封装基板向外发射电磁场的效应基本被消除，EMI干扰降低。 |
