低成本高可靠性的功率半导体器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910729788.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110444583A | 公开（公告）日 | 2019-11-12 |
| 申请公布号 | CN110444583A | 申请公布日 | 2019-11-12 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I; H01L29/739（2006.01）I; H01L29/78（2006.01）I; H01L21/331（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨飞; 白玉明; 吴凯; 朱阳军 | 申请（专利权）人 | 南京芯长征科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州国诚专利代理有限公司 | 代理人 | 南京芯长征科技有限公司 |
| 地址 | 211100 江苏省南京市苏源大道19号九龙湖国际企业总部园A2座（江宁开发区） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种低成本高可靠性的功率半导体器件及其制备方法，其有源区内的元胞采用沟槽结构；有源区内包括衬底元胞沟槽以及元胞边缘沟槽，元胞边缘沟槽的宽度大于衬底元胞沟槽的宽度；在元胞边缘沟槽槽底的正下方设置元胞边缘沟槽第二导电类型掺杂区，在元胞边缘沟槽的两侧设置衬底第二导电类型体区；在元胞边缘沟槽内填充有边缘沟槽导电多晶硅以及衬底绝缘介质层，衬底源极金属层支撑在衬底绝缘介质层上，衬底源极金属层与衬底第二导电类型基区、衬底第一导电类型源区以及元胞边缘沟槽两侧的衬底第二导电类型体区欧姆接触。本发明能提高终端区域的击穿电压，降低制造成本，提高功率半导体器件的UIS能力，与现有工艺兼容，安全可靠。 |
