逆导型IGBT器件的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010260320.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111415984A | 公开（公告）日 | 2020-07-14 |
| 申请公布号 | CN111415984A | 申请公布日 | 2020-07-14 |
| 分类号 | H01L29/417(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 吴凯;白玉明;杨飞;张广银;朱阳军 | 申请（专利权）人 | 南京芯长征科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州国诚专利代理有限公司 | 代理人 | 南京芯长征科技有限公司 |
| 地址 | 211100江苏省南京市江宁区苏源大道19号九龙湖国际企业总部园A2座10层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种制造方法，尤其是一种逆导型IGBT器件的制造方法，属于逆导型IGBT器件的技术领域。采用常规激光退火工艺对衬底背面注入的第一导电类型离子注入层进行局部激活，然后通过减薄的方式去除未激活的第一导电类型离子注入层，再通过背面第二导电型杂质离子注入和炉管退火形成第二导电类型激活区。由于炉管退火的激活率远低于激光退火，因此在第一导电类型激活区中注入的第二导电类型杂质离子在经过炉管退火激活之后不会完全补偿掉第一导电类型激活区中的第一导电类型离子，从而可以不通过光刻的方式即可形成逆导型IGBT所需的交替排列的N型区和P型区，降低了器件制造成本，工艺步骤简单，与现有工艺兼容，安全可靠。 |
