改善对位偏孔的方法

基本信息

申请号 CN202110901334.6 申请日 -
公开(公告)号 CN113811082A 公开(公告)日 2021-12-17
申请公布号 CN113811082A 申请公布日 2021-12-17
分类号 H05K3/00(2006.01)I 分类 其他类目不包含的电技术;
发明人 关俊轩;刘勇;许杏芳 申请(专利权)人 安捷利美维电子(厦门)有限责任公司
代理机构 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 代理人 王忠浩
地址 361026福建省厦门市海沧区海沧大道567号厦门中心E座26F
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种改善对位偏孔的方法,选取待加工板件的孔位坐标,并标识处理;检测需要加工的孔位尺寸,选取钻孔规格为D2的钻头进行加工;选取钻孔规格为D1的钻头加工一次加工板件;将二次加工板件沉铜电镀处理;将电镀板件进行贴膜、对位曝光显影,蚀刻褪膜在PCB板上露出所需图形。采用多个规格的钻头连续加工的方式,进行对位孔的连续加工,由于钻小孔时钻机的钻头所需的扭矩较小,对孔壁影响度较低,同时小孔钻孔有利于散热,避免材料的溶解,最后才使用与对位孔径相同的钻刀钻出对位孔,这样就可以降低钻机所需的扭矩,减少震动,同时也大大降低热量,从而确保钻出良好的孔型,最终也保证了后续的曝光对位,从而避免了偏孔问题。