跨芯板层凹槽基板的制作方法
基本信息
申请号 | CN202111125940.X | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN114040572A | 公开(公告)日 | 2022-02-11 |
申请公布号 | CN114040572A | 申请公布日 | 2022-02-11 |
分类号 | H05K3/00(2006.01)I;H05K3/30(2006.01)I;H05K3/46(2006.01)I | 分类 | 其他类目不包含的电技术; |
发明人 | 吴少晖;郭沐杰 | 申请(专利权)人 | 安捷利美维电子(厦门)有限责任公司 |
代理机构 | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) | 代理人 | 王忠浩 |
地址 | 361026福建省厦门市海沧区海沧大道567号厦门中心E座26F | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种跨芯板层凹槽基板的制作方法,将单面芯板标记为N层,制作对位标靶,不制作图形;铜箔作为N+1层,参照N层制作出N+1层标靶,选取N与N+1层之间介质层,制作标靶;将双面胶带大粘力面贴合到介质层,凹槽位置开窗切割;压合形成双面板,胶带小粘力面朝向N+1层,盲孔加工和图形制作;选取N+1与N+2层之间介质层并制作标靶;将双面胶带大粘力面贴合到介质层,开窗切割;叠加介质层、N‑1层铜箔,压合成四层板,胶带粘力小面朝向N+2层;进行盲孔加工、图形制作,按照正常流程制作其余流程,直至完成最外层的阻焊、字符制作;激光烧蚀,进行凹槽位置开盖,分别将N+1、N+2层的凹槽盖子揭掉,露出跨过整板的芯板层的、深度达至N+1、N+2层的凹槽。 |