一种四层Nano SIM卡类的封装基板及其制作方法

基本信息

申请号 CN202111157490.2 申请日 -
公开(公告)号 CN113613414B 公开(公告)日 2021-12-31
申请公布号 CN113613414B 申请公布日 2021-12-31
分类号 H05K3/46;H05K3/22;H05K1/02;H05K1/11 分类 其他类目不包含的电技术;
发明人 岳长来 申请(专利权)人 江门市和美精艺电子有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 529152 广东省江门市新会区崖门镇新财富环保产业园310座第三、四、五层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明为一种四层NanoSIM卡类的封装基板及其制作方法,利用双层覆铜板作为基板,于基板上形成通孔,填孔后处理形成内部的第二线路层和第三线路层,外层使用铜箔和半固化片压合,镭射钻孔形成1‑2层盲孔和3‑4层盲孔,填孔后处理形成第一电路层和第四线路层,对GTL面的焊盘和绑定、GBL面的MARK点电软金,对GBL面的手指PAD、GTL面的导胶口经两次喷砂电硬金,碱性回蚀引线后进行抗氧化,最终成型。本发明提高了SIM卡产品品质良率,金面偏哑雾色,并有效保护BGA的铜面品质。