首页/ 无锡华润微电子有限公司/ 专利详情

一种半导体器件制备方法

基本信息

申请号 CN201910147136.8 申请日 -
公开（公告）号 CN111627998A 公开（公告）日 2020-09-04
申请公布号 CN111627998A 申请公布日 2020-09-04
分类号 H01L29/78(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 魏峰;陈蕾;甘新慧;蒋正勇;盛况;郭清 申请（专利权）人 无锡华润微电子有限公司
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 代理人 无锡华润微电子有限公司;浙江大学
地址 214135江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道180号-6
法律状态 -

摘要

摘要 本申请涉及一种半导体器件制备方法，包括：提供第一导电类型碳化硅衬底；在碳化硅衬底上形成硬掩膜，对碳化硅衬底进行第一次离子注入形成多个第二导电类型埋层；去除硬掩膜，在碳化硅衬底上形成光刻胶层，对碳化硅衬底进行第二次离子注人以在埋层上方的碳化硅衬底的表层形成多个与埋层连接的第二导电类型阱区，第二次离子注入为倾斜注入；垂直对阱区进行第三次离子注入，在阱区内形成源区，源区具有第一导电类型。通过上述三次离子注入，并在第二次离子注入时控制注入角度，自对准地形成沟道，制备工艺简单且灵活性更高。