首页/ 无锡华润微电子有限公司/ 专利详情

一种碳化硅器件制备方法

基本信息

申请号 CN201910145356.7 申请日 -
公开（公告）号 CN111627802A 公开（公告）日 2020-09-04
申请公布号 CN111627802A 申请公布日 2020-09-04
分类号 H01L21/04(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 朱家从;蒋正勇;计建新;张伟民;盛况;郭清 申请（专利权）人 无锡华润微电子有限公司
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 代理人 无锡华润微电子有限公司;浙江大学
地址 214135江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道180号-6
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种碳化硅器件制备方法，包括：提供碳化硅基底，碳化硅基底具有第一导电类型，在碳化硅基底的正面上形成硬掩膜，硬掩膜上开设有注入窗口；对碳化硅基底进行第二导电类型离子注入，使部分碳化硅基底晶格结构被破坏，形成具有预设形貌的晶格损伤区，第二导电类型与第一导电类型具有相反的导电性能；利用腐蚀液对碳化硅基底进行湿法刻蚀，以去除晶格损伤区内的碳化硅，形成具有预设形貌的沟槽。通过离子注入形成晶格损伤区，再利用湿法刻蚀晶格损伤区形成沟槽，该刻蚀方法形成的沟槽不会出现微沟槽，且选择离子注入的导电类型与基底的导电类型相反，可避免离子注入对基底掺杂浓度的影响。