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半导体器件及其制造方法

基本信息

申请号 CN201911422248.6 申请日 -
公开（公告）号 CN113130500A 公开（公告）日 2021-07-16
申请公布号 CN113130500A 申请公布日 2021-07-16
分类号 H01L27/11521（2017.01）I;H01L21/28（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 于绍欣;马凤麟 申请（专利权）人 无锡华润微电子有限公司
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 代理人 虞凌霄
地址 214135江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道180号-6
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。包括提供包括存储单元源极区和位于存储单元源极区之间的连接区的衬底；获取第零多晶硅层；依次形成介质层和第一多晶硅层，形成带光刻图形的光刻胶，光刻图形露出存储单元源极区和连接区的第一多晶硅层，通过第一次刻蚀去除露出的存储单元源极区和连接区的第一多晶硅层，通过第二次刻蚀完全去除露出的存储单元源极区和连接区的介质层，通过第三次刻蚀去除所述光刻图形露出的存储单元源极区的第零多晶硅层。在第三次刻蚀过程中，通过设定多晶硅和二氧化硅的刻蚀选择比，使得刻蚀后连接区至少保留部分栅氧层，保护衬底免受刻蚀损伤，在保持芯片集成度不变的情况下，提高了器件的良率与可靠性。