半导体器件的制造方法及半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN201910421884.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111987044A | 公开（公告）日 | 2020-11-24 |
| 申请公布号 | CN111987044A | 申请公布日 | 2020-11-24 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 金兴成;杨晓芳;于绍欣 | 申请（专利权）人 | 无锡华润微电子有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 无锡华润微电子有限公司 |
| 地址 | 214135江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道180号-6 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件。制造方法包括：获得衬底，衬底上形成有用于隔离出有源区的隔离结构；在衬底上形成P型阱区；在P型阱区上形成有源区；在有源区与隔离结构边界处的第一侧和与第一侧相对的第二侧形成阈值电压补偿区域；形成栅极；其中，有源区包括形成于P型阱区中的源极区和漏极区；第一侧和第二侧的连线垂直于有源区的导电沟道方向，阈值电压补偿区域的空穴浓度大于P型阱区的空穴浓度。通过在有源区与隔离结构交界处的相对两侧设置空穴浓度更高的阈值电压补偿区域，能够中和该区域内由于辐射感生的负电荷，形成了多阈值沟道结构，能够避免器件受到辐射后产生电路漏电设置器件误开启、电路误翻转等问题。 |
