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闪存存储器的制备方法

基本信息

申请号 CN201910419501.6 申请日 -
公开（公告）号 CN111968984A 公开（公告）日 2020-11-20
申请公布号 CN111968984A 申请公布日 2020-11-20
分类号 H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11531 分类 基本电气元件;
发明人 马凤麟;于绍欣 申请（专利权）人 无锡华润微电子有限公司
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 代理人 无锡华润微电子有限公司
地址 214135 江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道180号-6
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种闪存存储器的制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，半导体衬底上定义有存储区，存储区包括若干存储单元区、若干源接触孔区以及若干浅沟槽区；在半导体衬底上依次沉积第一介质层和第一多晶硅层，刻蚀第一多晶硅层，以去除部分浅沟槽区上方的第一多晶硅层，并保留覆盖源接触孔区上方的第一多晶硅层；依次沉积第二介质层和第二多晶硅层，刻蚀第二多晶硅层、第二介质层和第一多晶硅层，以在存储单元区形成存储单元结构，并去除源接触孔区上方的第一多晶硅层、第二介质层和第二多晶硅层。由于源接触孔区上方的第一多晶硅层被保留覆盖，使得该区域内不会形成凹坑，有效解决了因凹坑导致存储单元源区与接触塞之间接触不良的问题。