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浅沟槽隔离方法

基本信息

申请号	CN201510640812.7	申请日	-
公开（公告）号	CN106558529B	公开（公告）日	2020-04-21
申请公布号	CN106558529B	申请公布日	2020-04-21
分类号	H01L21/762;H01L21/306	分类	基本电气元件;
发明人	金兴成;顾勇;范一平	申请（专利权）人	无锡华润微电子有限公司
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	无锡华润微电子有限公司
地址	214135 江苏省无锡市无锡太湖国际科技园菱湖大道180号-22
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种浅沟槽隔离方法，该浅沟槽隔离方法用于具有特殊高密度有源区的集成电路制造技术中，其中化学机械抛光的工序包括：利用第一研磨液对已沉积氧化硅薄膜的晶圆进行第一次研磨，直至完全去除氮化硅层上的氧化硅薄膜时停止研磨；利用第二研磨液对第一次研磨后的晶圆进行第二次研磨，直至所有沟槽内的氧化硅薄膜表面被研磨平坦时停止研磨。其中，第一研磨液对氧化硅薄膜研磨的速率大于对氮化硅层研磨的速率；控制第二研磨液对氧化硅薄膜研磨的速率与对氮化硅层研磨的速率之比，以保证对相邻的氧化硅薄膜和氮化硅层同时研磨时氧化硅薄膜不会出现凹陷。该浅沟槽隔离方法既能保证沟槽绝缘结构表面被研磨后满足均一性要求，又操作简单、成本低。