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碳化硅肖特基二极管

基本信息

申请号 CN201910147139.1 申请日 -
公开（公告）号 CN111628008A 公开（公告）日 2020-09-04
申请公布号 CN111628008A 申请公布日 2020-09-04
分类号 H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 甘新慧;蒋正勇;朱家从;计建新;盛况;郭清 申请（专利权）人 无锡华润微电子有限公司
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 代理人 无锡华润微电子有限公司;浙江大学
地址 214135江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道180号-6
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种碳化硅肖特基二极管。包括有源区和有源区外围的终端区，所述有源区包括掺杂区和未设置所述掺杂区的肖特基区，所述掺杂区的导电类型与所述有源区的衬底的导电类型相反，所述有源区被划分为有源区中心区域和所述有源区中心区域外围的有源区边缘区域，所述有源区边缘区域的S值比所述有源区中心区域的S值大，所述S值为所述肖特基区的面积与所述掺杂区的面积的比值，所述有源区边缘区域的面积占有源区总面积的40％‑80％。通过将有源区中心区域的掺杂区设置的更密集，改善了电子迁移率的问题，更好地避免了热点失效。