快恢复二极管及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201610375180.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107452621B | 公开（公告）日 | 2021-07-20 |
| 申请公布号 | CN107452621B | 申请公布日 | 2021-07-20 |
| 分类号 | H01L21/329;H01L29/868 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈天;顾勇;于绍欣;张旭;廖永亮 | 申请（专利权）人 | 无锡华润微电子有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 邓云鹏 |
| 地址 | 214135 江苏省无锡市无锡太湖国际科技园菱湖大道180号-22 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种快恢复二极管的制造方法，包括如下步骤：提供N型低掺杂衬底；在所述N型低掺杂衬底的第一表面形成功能区和终端分压环区；在所述N型低掺杂衬底的第二表面进行深注入，形成位于N型低掺杂衬底内的N型掺杂层；在所述N型低掺杂衬底的第二表面进行注入，形成位于N型低掺杂衬底第二表面的N型高掺杂层。上述快恢复二极管的制造方法，通过在N型低掺杂衬底第二表面深注入形成N型掺杂层，提高了阻断电压，衬底厚度减小，使得到的快恢复二极管的正向压降降低。 |
