二极管结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811542384.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111326589A | 公开（公告）日 | 2020-06-23 |
| 申请公布号 | CN111326589A | 申请公布日 | 2020-06-23 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 陈晓亮;陈天;钱忠健;金兴成;于绍欣 | 申请（专利权）人 | 无锡华润微电子有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 无锡华润微电子有限公司 |
| 地址 | 214135江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道180号-6 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及二极管结构及其制备方法，该二极管结构包括半导体衬底；阱区，具有第一导电类型，形成于半导体衬底内；栅区，包括形成于部分阱区上的栅氧层和形成于栅氧层上的多晶硅栅层，多晶硅栅层具有第二导电类型，多晶硅栅层的费米能级与半导体衬底的禁带中心的能带距离小于或等于0.3eV；及N型区和P型区，分别形成于栅区两侧的阱区内。通过控制多晶硅栅层的功函数，使其费米能级位于半导体衬底禁带中心附近，减小多晶硅栅层与其下方阱区的功函数差，降低两者之间的接触电势，可解决漏电流、耐压不稳定等问题。 |
